Аннотация: Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста.
Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.
Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.

Автор/составитель	Александрова Ольга Анатольевна, Лебедев Андрей Олегович, Мараева Евгения Владимировна
Серия	Радиоэлектроника и приборостроение
Год выпуска	2023
ISBN	978-5-507-45481-5
Производитель	Лань
Количество томов	1
Количество страниц	216
Переплет	Твёрдый переплёт
Размеры	243x170x14 мм
Цвет	Белый
Тип бумаги	офсетная (60-220 г/м2)
Вес	412
Язык	русский